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Micron - DDR4 - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC
Information
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Livraison: 19/08/20
ConstructeurMicron Technology
Réf. Produit
MTA4ATF51264HZ-2G6E1
| Général |
| Capacité | 4 Go |
| Type de mise à niveau | Générique |
| Mémoire |
| Type | DRAM |
| Technologie | DDR4 SDRAM |
| Format | SO DIMM 260 broches |
| Hauteur du module (en pouces) | 1.18 |
| Vitesse | 2666 MHz (PC4-21300) |
| Temps de latence | CL19 (19-19-19) |
| Vérification de l'Intégrité des Données | Non ECC |
| Fonctions | Un rang, huit banques, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), mémoire sans tampon |
| Configuration de module | 512 x 64 |
| Organisation des puces | 512 x 16 |
| Tension | 1.2 V |
| Placage du connecteur | Or |
| Divers |
| Normes de conformité | RoHS, Sans halogène |
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